Материалы и электронные компоненты для экстремальных режимов и условий эксплуатации

Круглый стол
Дата: 26.06.2019
Время: 15:00-19:00
Место проведения: Конференц-зал 1110
Организатор: ФГАОУ ВО «СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
Контакты организатора: Начальник отдела по связям с общественностью ФГАОУ ВО «СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Жданова Дарья Александровна 8 (911) 773-32-99 dazhdanova@etu.ru

Модератор: В.В. Лучинин

Цель круглого стола:
Определение базовых направлений развития и критических проблемных вопросов для обеспечения технологической независимости России на рынках военной и гражданской продукции, требующих использование материалов и электронной компонентной базы с экстремальными режимами и условиями эксплуатации: коммутируемая (генерируемая) мощность – частота, рабочие температуры, радиационная стойкость, устойчивость к воздействию электромагнитного излучения.

Направления:
• Алмаз, карбид кремния и нитрид галлия на рынке экстремальной электроники и фотоники. Тенденции развития.
• Тенденции развития и рынок твердотельной электронной компонентной базы микроволновой электроники частотного диапазона 90 – 300 ГГц.
• Тенденции развития и рынок твердотельной электронной компонентной базы силовой высоковольтной сильноточной и мощной субнаносекундной электроники.
• Состояние рынка сверхвысокочастотной вакуумно-плазменной эмиссионной электроники.
• Потребности рынка в высокотемпературной, радиационно- и электромагнитно стойкой электронике.

Предполагаемые результаты:
◦ Перечень технологий, обеспечивающих импорт независимость при создании материалов и ЭКБ экстремальной электроники и фотоники с ранее недостижимыми ТТХ.
◦ Перечень критических проблемных вопросов, связанных с созданием материаловедческой, технологической и испытательной базы ЭКБ экстремальной электроники для систем военного и гражданского назначений, основанных на новых физических принципах и с ранее недостижимыми ТТХ
◦ Предложения по сотрудничеству между организациями и ведомствами: Минобрнауки России, госкорпорации «Ростех», госкорпорации «Роскосмос» и госкорпорации «Росатом» с целью координации действий при формировании научно-технологического задела в области ЭКБ экспериментальной электроники для перспективных разработок в интересах Минобороны и других силовых ведомств России.
◦ В проект протокольного решения мероприятия научно-деловой программы предлагается включить отображенный перечень приоритетной ЭКБ для экстремальных режимов и условий эксплуатации с определением возможной кооперации организаций и обращением к ведомствам Заказчиков.

Программа

14:45 – 15:0
Регистрация участников

15:00 -15:05
Вступительное слово
СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Директор департамента науки
Лучинин Виктор Викторович

15.05 -15.20
Материалы и ЭКБ для экстремальной электроники.
СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Директор департамента науки
Лучинин Виктор Викторович

15.30 -15.45
Отечественная технология крупных синтетических монокристаллов алмаза.
New Diamond Technology,
Генеральный директор
Колядин Александр Владимирович

15.45 -15.55
Создание алмазных подложек большого диаметра.
АО «НПП «Исток», Начальник отдела 220
Духновский Михаил Петрович

16.00 -16.15
Твердотельная микроволновая СВЧ электроника.
ФГУП «РНИИРС», Начальник производственного комплекса микроэлектроники
Деркачёв Павел Юрьевич

16.15 – 16.30
Автоэмиссионная СВЧ электроника на основе стеклоуглерода.
АО «НПП «Алмаз», Ведущий научный сотрудник
Шестёркин Василий Иванович

16.50 – 17.05
Силовая электроника на карбиде кремния.
СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Заместитель директора
Афанасьев Алексей Валентинович

17.05 – 17.20
Новые подходы в разработке силовых модулей на карбид-кремниевой ЭКБ и их применение в перспективных образцах энергоэффективной и высоконадежной преобразовательной техники
АО "Чебоксарский электроаппаратный завод", Ведущий инженер-конструктор
Данилов Олег Анатольевич

17.25 – 17.40
Актуальные вопросы радиационно-ориентированной характеризации технологических процессов для контрактного производства импортозамещающей ЭКБ твердотельной СВЧ электроники.
НИЯУ МИФИ, Начальник НТК-1
Николай Александрович Усачёв

17.40 – 17.55
Обеспечение электромагнитной безопасности радиоэлектронных средств.
СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Доцент кафедры микро- и наноэлектроники
Гареев Камиль Газинурович

18.00 – 18.15
Испытания, эксплуатация, надежность электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры.
АО «РНИИ «Электронстандарт», Директор по качеству
Батурин Антон Владимирович

18.25 – 18.30
Заключительное слово